Dalam sebuah komputer (PC) atau laptop, salah satu perangkat keras (hardware) yang sangat berperan penting dalam kinerja dan performa komputer adalah memory atau RAM (Random Access Memory). RAM atau memory merupakan perangkat untuk tempat menyimpan data yang diakses oleh processor. Kali ini, kita akan mengulas penemu RAM (Random Access Memory) yakni Robert Dennard, di mana produk tersebut sudah dipatenkan pada 1968.
Robert H. Dennard sendiri lahir di Terrell, Texas, AS pada 5 September 1932 silam. Di masa kecilnya, Robert yang tumbuh di lingkungan pedesaan Texas menceritakan bahwa dia selalu ingin tahu terhadap segala hal dan mencari cara yang lebih baik untuk melakukan hal-hal secara lebih cepat, misalnya cara cepat memotong kayu bakar untuk kompor.
Setelah menamatkan sekolah menengahnya, Robert Dennard kemudian melanjutkan sekolahnya dengan masuk di perguruan tinggi di Southern Methodist University di jurusan Teknik Elektro. Dia lalu menerima gelar bachelor of science (B.S) dan magister of science (M.S) di tahun yang hampir bersamaan, yakni 1954 dan 1956. Dia lalu menempuh studi Doktoralnya di Institut Teknologi Carnegie di Pittsburgh, Pennsylvania yang kemudian mendapatkan gelar Ph.D pada tahun 1958.
Usai berurusan dengan persoalan akademis, karier profesionalnya dilalui sebagai peneliti di International Business Machines (IBM). Rasa ingin tahu dan membuat sesuatu lebih simpel kemudian membawa hal tersebut untuk perbaikan ke IBM, di mana dia mengembangkan memori satu-transistor dynamic random access (DRAM). Selama bekerja di IBM, ia juga mengembangkan teori signifikan pada skala perangkat elektronik, yang telah menjadi kekuatan pendorong dalam mikroelektronika. Untuk prestasi ini, Dennard adalah penerima Penghargaan Lemelson-MIT Lifetime Achievement $ 100.000 pada tahun 2005 .
Karya besar itu pun dimulai
Pada tahun 1966 Dennard adalah anggota tim IBM melakukan penelitian pada sel memori enam transistor, dan dia berpikir harus ada metode sederhana untuk membangun memori dalam teknologi ini. Solusinya berkembang sebagai transistor efek medan tunggal yang melakukan pembacaan dan penulisan informasi yang disimpan sebagai muatan listrik pada kapasitor, sekarang dikenal sebagai sel DRAM. DRAM kemudian dipatenkan pada tahun 1968. Dennard juga termasuk orang pertama untuk mengenali potensi yang luar biasa dari perampingan MOSFET. Teori scaling pun dirumuskannya pada 1974, yakni sebuah teori yang mengamati bahwa MOSFET akan terus berfungsi sebagai saklar tegangan yang dikendalikan sementara semua tokoh kunci seperti kepadatan jasa tata letak, kecepatan operasi, dan efisiensi energi akan meningkatkan disediakan dimensi geometris, tegangan, dan doping konsentrasi yang konsisten bersisik seperti untuk mempertahankan medan listrik yang sama. Hal ini mendasari Hukum Moore yang ditemukan oleh Robert Moore (pendiri Intel) dan evolusi mikroelektronik selama beberapa dekade terakhir.
Dari sinilah kemudian RAM atau Random Access Memory mulai dikembangkan, RAM (Random Access Memory) disebut memory pada PC. Dijelaskannya, sebuah komputer membutuhkan RAM untuk menyimpan data dan instruksi yang dibutuhkan untuk menyelesaikan sebuah perintah. Instruksi didedikasikan khusus untuk menyimpan data yang tidak tertampung dari RAM. Bagian khusus pada harddisk yang didedikasikan khusus ini disebut sebagai virtual memory. Paging file atau juga dikenal sebagai swapfile pada operating system Windows merupakan salah satu contoh dari virtual memory.
Jika paging file sering diakses, maka akan sangat signifikan menurunkan kinerja PC. Sebagai lustrasi, CPU hanya membutuhkan waktu 200 ns (nano second) untuk mengakses data pada RAM. Sedangkan untuk mengakses virtual memory pada harddisk, CPU akan membutuhkan waktu sekitar 12.000.000 ns. Atau perbandingannya butuh waktu CPU mengakses paging files pada harddisk sekitar 60.000 kali lebih lama dibandingkan jika CPU mengakses data dari RAM. Selain kinerja PC terasa melambat drastis, masih ada pertanda lainnya. Seperti akses harddisk yang berlebihan. Bahkan saat Anda tidak memerintahkan sebuah proses baru. Seperti membuka file, melakukan penyimpanan data, dan hal serupa lainnya.
Perkembangan temuan RAM
Jenis-jenis RAM (Random Access Memory) temuan Robert Dennard yang telah dikembangkan dari tahun ke tahun sampai sekarang meliputi:
1. SRAM (Static Random Acces Memory)
2. NV-RAM (Non-Volatile Random Access Memory)
3. DRAM (Dynamic Random Access Memory)
4. FPM DRAM (Fast Page Mode Dynamic Random Access Memory)
5. EDO RAM (Extended Data Output Dynamic Random Access Memory)
6. DR DRAM (Direct Rambus Dynamic Random Access Memory)
7. SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory)
8. DDR (Double Data Rate)
9. DDR2 (Double Data Rate 2)
10. DDR3 (Double Data Rate 3)
Berbagai penghargaan
Sebagai Penemu dari RAM (Random Access Memory), Robert Dennard kemudian memperoleh beberapa penghargaan atas penemuannya dan perannya dalam bidang teknologi, berikut penghargan-penghargaan yang diterima oleh Robert Dennard :
1. Carnegie Mellon University Kehormatan Doctor of Science dan Teknologi (2010)
2. IEEE Medal of Honor (2009)
3. IEEE Edison Medal (2001)
4. Benjamin Franklin Medal Teknik Elektro dari Institut Franklin (2007)
5. US National Academy of Engineering (NAE) Charles Stark Draper Prize (2009)
6. Industri Research Institute (IRI) Achievement Award
7. US National Medal of Technology (1988)
8. IEEE Cledo Brunetti Award (1982)
9. IBM Fellow (1979)
Semoga kisah sukses Robert Dennard ini menginspirasi pakar teknologi Indonesia untuk berinovasi mengembangkan karya teknologi mutakhir. Sumber